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もくじ
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MOS-FETの書き方とモデルの設定
（ＦＥＴそのものの書き方）
m番号 ドレイン端子 ゲート端子 ソース端子 バルク（基板）端子 モデル名
+ l=ゲート長 w=ゲート幅 ・・・他いろんな設定
（いろいろあります、本で調べてみて下さい。）
（例 mn2 t1 t2 0 0 nm l=4u w=8u ad=80p as=80p pd=36u ps=36u ）
（モデル名の設定の書き方）
.model モデル名 種別（nmos 又は pmos）（level=1 vto=しきい値 tox=ゲート酸化膜厚 ・・・他いろんな設定）
（例 .model nm nmos (level=2 vto=1.0 tox=0.035u nsub=1e16 uo=500
+ ucrit=4.5e4 ・・・) ）
エンハンスメント型MOSとディプリッション型MOSの書き分けはしきい値(vto)の設定で書き分けます。
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※注意・バルク（基盤）の接続について
バルクの端子は、通常、ＮＭＯＳは回路中の最も電位の低いところに接続し、ＰＭＯＳは回路中の最も電位が高い端子に接続します。バルクについての記述がない場合には、ソース側（これはＮＭＯＳ・ＰＭＯＳとも同じ）に接続されているものと見なされます。でも、それでは逆方向に電流が流せないのでメモリの読み出し・書き込み制御用トランジスタのような両方向に電流が流れるような場合にはバルクは必ず設定してください。
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